I praktiken när transistorn är avstängd, flyter små läckströmmar genom transistorn och när den är helt "ON" har enheten ett lågt resistansvärde vilket orsakar en liten mättnadsspänning (VCE) över den. … När maximal kollektorström flyter sägs transistorn vara mättad.
Vad menas med mättnadsström i transistor?
Mättnad av den bipolära transistorn innebär att en ytterligare ökning av strömbasen inte inträffar (nästan) ökningen av kollektorströmmen (emitter i omvänt läge). Detta läge kan inte kallas fel. I vissa fall (omkopplingskrets) eller transistor i mättnad eller sluten.
Är BJT en aktuell mättnad?
Du kan inte hitta den eftersom det inte finns någon "Mättnadsström" i en riktig BJT. Det kommer att finnas många lägesparametrar i en Ebers-Moll-modell som du inte kommer att kunna hitta i ett datablad. Notera också att det inte finns någon fast punkt där en BJT plötsligt kommer in eller går ur mättnad.
Vad är mättnadsström i NPN-transistor?
En transistor går in i mättnad när både bas-emitter- och bas-kollektorövergångarna är framåtspända, i princip. Så om kollektorspänningen faller under basspänningen och emitterspänningen är under basspänningen, då är transistorn i mättnad. Tänk på den här Common Emitter Amplifier-kretsen.
Varför är VBE 0.7 V?
Thebase emitter junction är en PN junction eller så kan du betrakta det som en diod. Och spänningsfallet över en kiseldiod när den är framåtspänd är ~0,7V. Det är därför de flesta av böckerna skriver VBE=0,7V, för en NPN-kiseltransistor med framåtspänd emitterövergång vid rumstemperatur.